[위클리오늘=임창열 기자] 삼성전자는 28일 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 ‘삼성 중국 반도체 메모리 2기 라인 기공식’을 가졌다고 밝혔다.

지난해 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 달러를 투자하기로 했다.

삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응 하겠다는 계획이다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산, 2015년 후공정 라인 완공, 2018년 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진해 나가고 있다.

삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다"고 말했다.

이날 기공식에는 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석했다.

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