[위클리오늘=신유림 기자] 삼성전자가 반도체공정 미세화 한계를 극복한 '6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드'를 기반으로 한 '기업용 PC SSD'를 양산·공급했다. 

6일 삼성전자에 따르면 이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 속도·생산성·절전 등의 특성을 동시 향상해 경쟁력을 확보했다.

또 기업용 250GB SATA PC SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요확대에 맞춰 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS 등 다양한 용량과 규격의 제품을 계속 출시할 계획이다.

삼성전자는 이번 제품을 통해 역대 최고 데이터전송 속도와 양산성을 동시에 구현했다. 또한 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약 1.4배 높인 6세대 V낸드를 양산했다.

6세대 V낸드는 전기가 통하는 136단 몰드(Mold)층을 쌓아 구멍을 단번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 3차원 CTF셀을 만들어 냈다.

삼성전자는 적층 단수가 높아질수록 낸드의 동작오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 '초고속 설계 기술'을 적용했다.

이 기술로 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했으며 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.

또한 6세대 V낸드에서 6.7억 개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단, 약9.3억 개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다.

아울러 6세대 V낸드는 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상 초고적층 V낸드를 만들 수 있어 개발주기를 더 단축할 수 있다.

삼성전자는 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나선다는 계획이다. 또한 3차원 V낸드의 사업영역을 계속 넓혀 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 경계현 부사장은 “향후 차세대 라인업 개발일정을 더 앞당겨 초고속 초고용량 SSD시장을 빠르게 확대시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.