3나노 GAA 공정 공개...신개념 고성능 반도체의 구현 현실화

SAFE^TM-Cloud 서비스 출시...고성능 클라우드의 환경 제공

[위클리오늘=김성한 기자] 삼성전자가 14일(현지시각) 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼 2019'를 개최하고 '차세대 3나노 GAA 공정'과 새로운 고객 지원 프로그램 'SAFE^TM-Cloud'를 소개했다.

이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.

이날 삼성전자의 파운드리사업부 정은승 사장은 "반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술을 포함하여 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 중요하다"며 "이번 포럼으로 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어 기쁘다"고 밝혔다.

삼성전자는 이번 포럼을 통해 파트너와 유기적인 협력을 확대해 '가장 신뢰받는 파운드리 회사'로 비전을 실현해 나갈 계획이다.

□" 3나노 GAA 공정 7나노보다 칩 면적 45% 줄여"

삼성전자는 지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개했고, 올해 포럼에서 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트를 팹리스 고객에게 배포했다.

공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화한 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 더욱 더 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자는 “3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45%가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다”고 했다.

또한, 3나노 공정에서 독자적인 MBCFET^TM(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사에게 제공할 계획이다.

MBCFET^TM은 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층한 방식이다. GAA 구조보다 성능과 전력효율을 한층 높이고, 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있는 장점이 있다.

□ 팹리스 고객에게 SAFE^TM-Cloud 서비스 개시

삼성전자는 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFE^TM-Cloud 서비스를 시작한다.

SAFE^TM-Cloud 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트, 자동화 설계툴 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.

팹리스 고객은 이 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트, 설계 방법론, 자동화 설계 툴, 설계 자산 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.